Технические детали

• Тип монтажа 28-DIP Module
• Количество витков Through Hole
• Q @ Freq 64Kbit
• Материал оболочки Volatile
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 125°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 4.5V ~ 5.5V
• Функция - Освещение SRAM - Asynchronous
• Память SRAM
• Максимальное переменное напряжение 28-DIP Module
• 120ns
• Parallel
• 120 ns
• 8K x 8
• Not Verified