- Модель продукта IS61NLP25636B-200B3LI
- Бренд ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- Описание IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 165-TBGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 9Mbit
- Материал оболочки Volatile
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 3.135V ~ 3.465V
- Функция - Освещение SRAM - Synchronous, SDR
- Напряжение - VCCB 200 MHz
- Память SRAM
- Максимальное переменное напряжение 165-TFBGA (13x15)
- Parallel
- 3.1 ns
- 256K x 36
- Not Verified