- Модель продукта IS61NVP102418-200B3
- Бренд ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- Описание IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 165-TBGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 18Mbit
- Материал оболочки Volatile
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 2.375V ~ 2.625V
- Функция - Освещение SRAM - Synchronous, SDR
- Напряжение - VCCB 200 MHz
- Память SRAM
- Максимальное переменное напряжение 165-TFBGA (13x15)
- Parallel
- 3.1 ns
- 1M x 18
- Not Verified