- Модель продукта TH58NYG2S3HBAI4
- Бренд Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Описание IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1583
Технические детали
- Тип монтажа 63-BGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 4Gbit
- Материал оболочки Non-Volatile
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 1.7V ~ 1.95V
- Функция - Освещение FLASH - NAND (SLC)
- Память FLASH
- Максимальное переменное напряжение 63-BGA (9x11)
- 25ns
- Parallel
- 512M x 8
- Not Verified